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大多數電子技術在電源模塊中發展的趨勢是低電壓和大電流，而同步整流技術相比較其他技術而言，是高效低損耗方法，通過控制功率MOSFET的驅動電路，實現整流功能。

同步整流技術的應用

同步整流技術出現較早，但早期的技術很難轉換為產品，這是由于當時

1）驅動技術不成熟，可靠性不高，現在技術已逐步成熟，出現了專用同步整流驅動芯片，如U321等；

2）專用配套的低導通電阻功率MOSFET還未投放市場；

3）還未采用MOSFET并聯肖特基二極管以降低寄生二極管的導通損耗；

4）在產品設計中沒有解決分布電感對MOSFET開關損耗的影響。

經過這幾年的發展，同步整流技術已經成熟，由于開發成本的原因，目前只在技術含量較高的通信電源模塊中得到應用。

現在的電源模塊仍主要應用在通信系統中，隨著通信技術的發展，通信芯片所需的電壓逐步降低，5V和3.3V早已成為主流，正向2.5V、1.5V甚至更低的方向發展。通信設備的集成度不斷提高，分布式電源系統中單機功率不斷增加，輸出電流從早期的10-20A到現在的30-60A，并有不斷增大的趨勢，同時要求體積要不斷減小。這就為同步整流技術提供了廣泛的應用需求。

同步整流技術與傳統技術的對比

在傳統的次級整流電路中，肖特基二極管是低電壓、大電流應用的首選。其導通壓降大于0.4V，但當通信電源模塊的輸出電壓隨著通信技術發展而逐步降低時，采用肖特基二極管的電源模塊效率損失驚人，在輸出電壓為5V時，效率可達85%左右，在輸出電壓為3.3V時，效率降為80%，1.5V輸出時只有65%，應用已不現實。

在低輸出電壓應用中，同步整流技術有明顯優勢。功率MOSFET導通電流能力強，可以達到60A以上。采用同步整流技術后，次級整流的電壓降等于MOSFET的導通壓降，由MOSFET的導通電阻決定，而且控制技術的進步也降低了MOSFET的開關損耗。在過去三年中，用于同步整流的MOSFET工藝取得了突破性的進展，導通電阻下降到了原來的1/5。現在，采用經過特殊工藝處理的MOSFET，能達到非常低的導通電阻，如IR公司的產品IRHSNA57064，當通導電流為45A時，其導通電阻僅為5.6毫歐，并且已經批量生產。

同步整流技術提高了次級整流效率，使生產低電壓、大電流、小體積的通信電源模塊成為現實。

同步整流技術可以很好的適應芯片，有很廣泛的運用。這是一塊還未被開發的市場，大多數公司還沒有被掌握，而且相應的成本也比較高。但隨著同步整流的MOSFET產品批量生產，專用驅動芯片的出現，以及技術的成熟，同步整流將成為主流的電源技術。